セラミックスCVD蒸着装置
これは、垂直グラファイト加熱室内に反応マッフルが配置された高温真空炉です。 マッフル底部のターンテーブルに炭素系材料の基板や繊維を載せて真空排気してから、前駆体ガスを分圧下でマッフル内に導入しながら1000~2400℃まで加熱します。 これにより、前駆体ガスの熱分解や反応によって発生したPyC、SiC、B4C、TaCなどの蒸気が基板上またはファイバー内部に薄膜として蒸着されます。
これは、垂直グラファイト加熱室内に反応マッフルが配置された高温真空炉です。 マッフル底部のターンテーブルに炭素系材料の基板や繊維を載せて真空排気してから、前駆体ガスを分圧下でマッフル内に導入しながら1000~2400℃まで加熱します。 これにより、前駆体ガスの熱分解や反応によって発生したPyC、SiC、B4C、TaCなどの蒸気が基板上またはファイバー内部に薄膜として蒸着されます。
2400℃ 超高温領域までのCVD要求に対応してホットゾンを設計・制作
製品の形状や積載方法に応じて水平または垂直のガス流動を選択できる
メンテナンスが容易なマッフル・ノズルの形状構造と配管の形式
ガス供給から排気スクラバーまでの生産全ラインをターンキー供給
各部の寿命又はメンテナンス周期延長のための様々な考案
項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
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装置形式 | 高温ガスリアクター縦型真空炉 | レトルトマッフル | 多角形円筒 |
適用工程 | セラミックス薄膜の蒸着(CVD)又は緻密化(CVI) | 工程ガス | [MTS, CH4, TaCl4, HfCl4, BCl3-NH3,] H2, N2, Ar |
薄膜材質 | SiC, TaC, HfC, BN, (Pyrolitic) Carbon | 工程圧力 | 分圧 5KPa ~ 50KPa |
積載体積 | 254L ~ 3532L | 分圧制御機器 | Manometer & Throttle valve |
使用温度 | 高温形 : Max. 1600℃、 超高温形 : Max. 2400℃ | 真空排気 | メカブ + ドライポンプ |
温度分布 | ±6~12℃[1000℃、 無負荷、真空] | 装入方式 | 下部台車装入、 ターンテーブル回転 |
昇温速度 | 2~10℃/min | 排気処理 | ベーパートラップ、パーティクルフィルタ、スクラバー |
温度制御 | 熱電対とサイリスターによった分割ゾンのPID制御 | システム制御 | PLC 制御、 タッチパネル又はPC インターフェイス |
炉材材質 | グラファイト | 電源電力 | AC 3ph 又は 6相半波整流の直流 |
モデルコード | TVCVD- HT0609 |
TVCVD- HT1015 |
TVCVD- HT1218 |
TVCVD- HT1520 |
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積載規格 (mm) | Φ600 * 900H | Φ1000 * 1500H | Φ1200 * 1800H | Φ1500 * 2000H |
積載量 (Kg) | 200 ~ 300 Kg | 550 ~ 700 Kg | 750 ~ 1,000 Kg | 1,000 ~ 1,300 Kg |
温度分布 | ±6℃ | ±8℃ | ±10℃ | ±12℃ |
加熱電力 (KVA) | 360 KVA | 600 KVA | 750 KVA | 1,000 KVA |
モデルコード | TVCVD- UT0609 |
TVCVD- UT1015 |
TVCVD- UT1218 |
TVCVD- UT1520 |
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積載規格 (mm) | Φ600 * 900H | Φ1000 * 1500H | Φ1200 * 1800H | Φ1500 * 2000H |
積載量 (Kg) | 200 ~ 300 Kg | 550 ~ 700 Kg | 750 ~ 1,000 Kg | 1,000 ~ 1,300 Kg |
温度分布 | ±6℃ | ±8℃ | ±10℃ | ±12℃ |
加熱電力 (KVA) | 540 KVA | 940 KVA | 1,140 KVA | 1,440 KVA |