CVDサンプルの製作
サービス内容
- SiC、TaC、PyC、B4CなどのセラミックCVDのサンプル作製
装備仕様規格
項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
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最高使用温度 | 2400℃ | 積載スペース | Φ400 * 600 H ㎜ |
プロセスガス | 前駆物質(Precursors), CH4, Cl2, H2, Argon, N2 | CVD膜質 | SiC, TaC, B4C, PyC, etc. |
使用圧力 | 0.01 Torr ~ 760 Torr | 分圧制御 | 10 ~ 500 Torr |
サービスお問い合わせ
- Mr. J. G. Lee : +82 10-8665-7513, ljg@thermvac.co.kr